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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
58
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
33
读取速度,GB/s
4,796.5
14.5
写入速度,GB/s
2,001.3
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
2839
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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