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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
13.2
16.6
写入速度,GB/s
9.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
3415
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
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