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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
4,226.4
14.2
写入速度,GB/s
1,479.2
8.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2909
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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