RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
4,226.4
14.8
写入速度,GB/s
1,479.2
6.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2014
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM的比较
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link