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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
52
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,479.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
35
读取速度,GB/s
4,226.4
15.5
写入速度,GB/s
1,479.2
11.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
590
2822
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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