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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
14.8
16.8
写入速度,GB/s
8.7
12.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3046
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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