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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
14.8
20.0
写入速度,GB/s
8.7
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
4006
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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