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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 -50% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
24
读取速度,GB/s
14.8
12.6
写入速度,GB/s
8.7
5.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2130
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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