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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.4
13.8
写入速度,GB/s
7.5
7.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2385
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB RAM的比较
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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