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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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差异
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
20
读取速度,GB/s
17.4
19.2
写入速度,GB/s
10.9
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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AMD R534G1601U1S 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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