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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
16.4
17.8
写入速度,GB/s
11.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3462
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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