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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
16.4
16.0
写入速度,GB/s
11.0
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2816
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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