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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.8
15.1
写入速度,GB/s
11.3
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2589
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
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