G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

总分
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

总分
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    14 left arrow 28
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    26.4 left arrow 18.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    19.8 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 14
  • 读取速度,GB/s
    18.2 left arrow 26.4
  • 写入速度,GB/s
    11.5 left arrow 19.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3067 left arrow 4362
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