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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
17.4
15.2
写入速度,GB/s
12.2
11.8
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2913
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
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