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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
32
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
32
读取速度,GB/s
17.4
16.7
写入速度,GB/s
12.2
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3064
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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