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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 49
    左右 -53% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3122

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
内存RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
内存RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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内存RAM