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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
4,577.1
15.7
写入速度,GB/s
2,066.5
7.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2493
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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