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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 14.3
    测试中的平均数值
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB 需要考虑的原因
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    20 left arrow 49
    左右 -145% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 20
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 17.9
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 14.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3127

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
内存RAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
内存RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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