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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
4,577.1
15.5
写入速度,GB/s
2,066.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2283
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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