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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
5,987.5
11.9
写入速度,GB/s
2,160.7
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
1875
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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