RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,892.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
6,181.5
16.4
写入速度,GB/s
1,892.9
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
851
2532
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link