RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
36
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
36
读取速度,GB/s
15.5
17.4
写入速度,GB/s
9.3
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
3552
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link