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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
9.1
15.1
写入速度,GB/s
9.9
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3121
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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