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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
比较
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Kingston 9965662-013.A01G 16GB
总分
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
总分
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
70
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.2
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
40
读取速度,GB/s
6.5
9.2
写入速度,GB/s
4.6
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1264
2125
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
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