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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
总分
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
43
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
43
读取速度,GB/s
13.3
13.0
写入速度,GB/s
8.3
7.6
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
1994
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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