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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
75
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
25
读取速度,GB/s
3,986.4
15.9
写入速度,GB/s
2,036.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2907
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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