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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
27
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
20
读取速度,GB/s
13.3
19.1
写入速度,GB/s
9.1
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
3506
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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