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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.3
16.1
写入速度,GB/s
9.1
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2591
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
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