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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
12.7
15.1
写入速度,GB/s
7.5
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2039
2589
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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