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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.7
17.4
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
3398
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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