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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 61% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
64
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
7.8
9.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2205
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB RAM的比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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