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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
34
读取速度,GB/s
13.7
17.9
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
3634
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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