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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
总分
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.2
17.5
写入速度,GB/s
7.8
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2125
3223
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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