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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

总分
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

总分
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 37
    左右 -6% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 11.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.4 left arrow 5.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    11.1 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    5.8 left arrow 11.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1807 left arrow 2768

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB RAM的比较

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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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