RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
比较
Kingston HX316C10F/8 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
总分
Kingston HX316C10F/8 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/8 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
14.7
17.4
写入速度,GB/s
9.2
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2585
3085
Kingston HX316C10F/8 8GB RAM的比较
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
报告一个错误
×
Bug description
Source link