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Kingston KF560C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
比较
Kingston KF560C40-16 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
总分
Kingston KF560C40-16 16GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF560C40-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
13.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF560C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
29
读取速度,GB/s
14.8
17.2
写入速度,GB/s
13.0
13.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3524
3409
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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