RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
15.5
17.3
写入速度,GB/s
10.1
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2595
3073
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB RAM的比较
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link