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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 60
    左右 -88% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.1 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 12.1
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2768

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
内存RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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内存RAM
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
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