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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 60
    左右 -122% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 14.4
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2509

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Team Group Inc. 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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