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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
比较
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
AMD R7S44G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7S44G2606U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
50
左右 -150% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.3
1,905.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
20
读取速度,GB/s
5,143.3
18.9
写入速度,GB/s
1,905.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2707
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
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