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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
64
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
64
读取速度,GB/s
4,168.0
16.8
写入速度,GB/s
1,855.7
8.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2052
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
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