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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
17.8
17.7
写入速度,GB/s
12.5
13.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3096
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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