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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.8
18.9
写入速度,GB/s
12.5
13.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3437
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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