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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
10.5
7.7
写入速度,GB/s
7.1
8.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2163
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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