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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
42
读取速度,GB/s
10.5
12.7
写入速度,GB/s
7.1
10.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2701
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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