Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

总分
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 33
    左右 12% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.5 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    15.8 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 8500
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    29 left arrow 33
  • 读取速度,GB/s
    10.5 left arrow 17.5
  • 写入速度,GB/s
    7.1 left arrow 15.8
  • 内存带宽,mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1425 left arrow 3482
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较