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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
58
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
22
读取速度,GB/s
4,025.3
17.7
写入速度,GB/s
2,107.0
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3096
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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