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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
17.3
写入速度,GB/s
2,107.0
14.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3367
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
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