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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
16.4
写入速度,GB/s
2,107.0
11.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3036
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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